A.發(fā)電機(jī)過(guò)勵(lì)磁時(shí),差動(dòng)電流增大
B.變壓器過(guò)勵(lì)磁時(shí),差動(dòng)電流增大
C.發(fā)電機(jī)過(guò)勵(lì)磁時(shí)差動(dòng)電流基本不變化,變壓器過(guò)勵(lì)磁時(shí)差動(dòng)電流增大
D.發(fā)電機(jī)和變壓器過(guò)勵(lì)磁是,差動(dòng)電流均增大
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A.波形失真,伴隨諧波出現(xiàn)
B.過(guò)零點(diǎn)提前,波形缺損
C.一次電流越大時(shí),過(guò)零點(diǎn)提前越多
D.二次電流的飽和點(diǎn)可在該半周期內(nèi)任何時(shí)刻出現(xiàn),隨一次電流大小而變
A.過(guò)電壓
B.低頻
C.高頻
A.單相阻抗繼電器
B.多相阻抗繼電器
C.測(cè)距式距離繼電器
A.不帶電的插拔插件
B.使用不帶接地的電烙鐵
C.觸摸插件電路
A.工頻變化量差動(dòng)保護(hù)不必考慮勵(lì)磁涌流的影響
B.兩者的動(dòng)作電流是相等的,都是故障電流
C.兩者的制動(dòng)電流不一樣
D.工頻變化量差動(dòng)的靈敏度高于比率差動(dòng)保護(hù)
最新試題
DRAM存儲(chǔ)器的中文含義是()。
保證安全的技術(shù)措施有停電、驗(yàn)電、裝設(shè)接地線等。
防止誤操作的主要措施有()。
口對(duì)口人工呼吸,吹氣時(shí),如有較大阻力,可能是(),應(yīng)及時(shí)糾正。
在進(jìn)行倒閘操作時(shí),應(yīng)首先檢查斷路器在斷開(kāi)位置后,先合()隔離開(kāi)關(guān)。
備用母線無(wú)需試充電,可以直接投入運(yùn)行。
下面是對(duì)CPU的陳述,()是正確的。
用搖表測(cè)量設(shè)備的對(duì)地絕緣電阻時(shí),通過(guò)被測(cè)電阻的電流是()。
對(duì)于100V以下的電氣設(shè)備或回路,測(cè)量絕緣電阻的儀表應(yīng)使用()兆歐表。
第二種工作票應(yīng)在進(jìn)行工作()預(yù)先交給值班員。