單項(xiàng)選擇題電子束百分深度劑量隨能量的改變而改變，其變化特點(diǎn)是（）

A.隨著電子束能量的增加，其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加，并且X線污染減小
B.隨著電子束能量的增加，其表面劑量降低、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染增加
C.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染增加
D.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變窄、劑量跌落梯度增加，并且X線污染增加
E.隨著電子束能量的增加，其表面劑量增加、高劑量坪區(qū)變寬、劑量跌落梯度減少，并且X線污染減小


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2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于線性-二次模型（LQ）的描述，正確的是（）

A.以DNA雙鍵斷裂造成細(xì)胞死亡為理論依據(jù)
B.兩個(gè)不同電離粒子不能協(xié)同作用來(lái)殺死細(xì)胞
C.建立在上皮和皮下組織放射耐受性的基礎(chǔ)上，主要適用于5~30次分割照射范圍
D.α/β比值受所選擇的生物效應(yīng)水平的影響，因而不能反映早期反應(yīng)組織和晚期反應(yīng)組織以及腫瘤對(duì)劑量反應(yīng)的差別
E.是靶理論模型的一種

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于指形電離室的說(shuō)法，正確的是（）

A、指形電離室的靈敏體積通常為0.1~1.5cm3 
B、指形電離室由靜電極、測(cè)量極和保護(hù)極組成 
C、指形電離室一般不用于測(cè)量表面劑量 
D、指形電離室通常用來(lái)校準(zhǔn)中高能X線以及4MeV以上的電子線 
E、指形電離室?guī)в袠?biāo)準(zhǔn)厚度的平衡帽，其目的是為了增加靈敏體積內(nèi)的電子數(shù)目

4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于放療計(jì)劃評(píng)估的說(shuō)法，正確的是（）

A.DVH能顯示體積和劑量的關(guān)系
B.最佳的治療計(jì)劃應(yīng)使處方劑量包繞PTV
C.計(jì)劃評(píng)估主要是觀察劑量分布
D.DVH能夠很好地顯示靶區(qū)和危及器官的空間劑量分布信息
E.主要器官內(nèi)受照射體積與最大劑量間的關(guān)系

5.單項(xiàng)選擇題加速器產(chǎn)生的韌致輻射X射線譜不依賴于（）

A.加速電子能量
B.加速電子強(qiáng)度
C.電子偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)
D.準(zhǔn)直系統(tǒng)設(shè)計(jì)
E.靶和均整器材料