動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。

在現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)的多級層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫的程序可以由（）進(jìn)行解釋。

主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜（1）微程序控制器是通過（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號被讀出后，還需經(jīng)過一個（）送到被控制部件。（3）相對硬連線控制器，微程序控制器的設(shè)計與實現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運行速度，控制器部件應(yīng)選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。

在計算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）

柵極電平只能維持一段時間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

由硬件實現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實現(xiàn)的做法被稱為（）

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)（1）對于同一個數(shù)值，它的（）與補(bǔ)碼數(shù)的數(shù)值位相同，符號位相反。（2）浮點數(shù)用（）表示數(shù)據(jù)。（3）小數(shù)點的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為（）。（4）浮點數(shù)的溢出，是由其（）是否溢出表現(xiàn)出來的。（5）在實用中把浮點數(shù)的尾數(shù)左移一位，將最高位的1移走，從而提高數(shù)值的精度，這項處理稱之為（）。