多項選擇題CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
A.工藝實現(xiàn)存在問題
B.源漏耗盡區(qū)寬度不可能按比例縮小
C.閾值電壓不可能縮的太小
D.電源電壓標準的改變會帶來很大的不便
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1.多項選擇題IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
A.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，集成度提高α倍
B.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，而單位芯片面積的功耗不變
C.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，單元電路的功耗下降α2倍
D.特征線寬等有關(guān)尺寸縮小α倍，電路速度可增加α倍
3.多項選擇題芯片粘接的工藝過程包括（）。
A.銀漿固化
B.點銀漿
C.烘烤
D.芯片粘接
4.多項選擇題影響封裝芯片特性的溫度有（）。
A.熱敏感度
B.物理的脆弱度
C.熱的產(chǎn)生
D.集成度
5.單項選擇題下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
A.一光檢查
B.三光檢查
C.二光檢查
D.四光檢查
最新試題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）
題型：單項選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
題型：單項選擇題
如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項選擇題
消除鳥嘴效應的方法有（）。
題型：多項選擇題