填空題某RAM存儲器容量為128K×16位則地址線為(),數(shù)據(jù)線為()。
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在計(jì)算機(jī)存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪問、低功耗和大容量?()
題型:單項(xiàng)選擇題
從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復(fù)雜(1)微程序控制器是通過()的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。(2)微程序控制器的控制信號被讀出后,還需經(jīng)過一個(gè)()送到被控制部件。(3)相對硬連線控制器,微程序控制器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)()。(4)為了獲得快一些的運(yùn)行速度,控制器部件應(yīng)選擇()。(5)()是微程序控制器的核心部件。
題型:問答題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。
題型:單項(xiàng)選擇題
存儲器堆棧需要設(shè)置一個(gè)專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。
題型:單項(xiàng)選擇題
軟件堆棧在工作中()移動(dòng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
計(jì)算機(jī)系統(tǒng)是可以分層的,在某級觀察者角度看到的機(jī)器被稱為(),只需要通過該級語言來了解和使用。
題型:單項(xiàng)選擇題
柵極電平只能維持一段時(shí)間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。
題型:單項(xiàng)選擇題
RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。
題型:單項(xiàng)選擇題
()是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù),是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
題型:單項(xiàng)選擇題
計(jì)算機(jī)中機(jī)器訪問的最小單位被稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題