電路如圖所示，設(shè)R₁＝R₂＝100kΩ，V_DD＝5V，R_d＝7.5kΩ，V_T＝－1V，K_P＝0.2mA／V₂。試計(jì)算如圖所示P溝道增強(qiáng)型MOSFET共源極電路的漏極電流I_D和漏源電壓V_DS。

電路如圖所示。
（1）當(dāng)輸入方波電流的頻率為200Hz時，計(jì)算輸出電壓的平頂降落；
（2）當(dāng)平頂降落小于2％時，輸入方波的最低頻率為多少？

電路如圖所示（射極偏置電路），設(shè)信號源內(nèi)阻R_s＝5kΩ，電路參數(shù)為：R_b1＝33kΩ，R_b2＝22kΩ，R_e＝3.9kΩ，R_C＝4.7Ω，R_L＝5.1kΩ，在R_e兩端并接一電容C_e＝50μF，V_CC＝5V，I_EQ≈0.33mA，β_o＝120，r_ce＝300kΩ，r_bb’＝50Ω，f_T＝700MHz及C_b’e＝1pF。求：
（1）輸入電阻R_i；
（2）中頻區(qū)電壓增益；
（3）上限頻率f_H。

一單級阻容耦合共射放大電路的通頻帶是50Hz～50kHz，中頻電壓增益，最大不失真交流輸出電壓范圍是－3V～＋3V。
（1）若輸入一個10sin（4π×10³t）（mv）的正弦波信號，輸出波形是否會產(chǎn)生頻率失真和非線性失真？若不失真，則輸出電壓的峰值是多大？間的相位差是多少？
（2）若v_i＝40sin（4π×25×10³t）（mV），重復(fù)回答（1）中的問題；
（3）若v_i＝10sin（4π×50×10³t）（mV），輸出波形是否會失真？

電路如圖所示。設(shè)兩管的特性一致，β₁＝β₂＝50，V_BEQ1＝V_BEQ2＝0.7V。
（1）試畫出該電路的交流通路，說明T₁、T₂各為什么組態(tài)；
（2）估算I_CQ1、V_CEQ1、I_CQ2、V_CEQ2（提示：因V_BEQ1＝V_BEQ2，故有I_BQ1＝I_BQ2）；
（3）求A_v、R_i和R_o。