有一共基極放大電路如圖所示。其中V_CC=24V、R_B1=90kΩ、R_B2=48kΩ、R_C=R_E=2.4kΩ、負(fù)載電阻R_L=2.2kΩ，電容器C₁、C₂、C₃的電容量均足夠大。晶體管T為3DG4A型硅管，其r_bb’=80Ω、β=20。
（1）試估算靜態(tài)工作點I_CQ、U_CEQ值；
（2）計算A_u、R_i及R_o值。

圖示放大電路為自舉式射極輸出器。在電路中，設(shè)，晶體管的，各電容的容量足夠大。試求：
（1）斷開電容C，求放大電路的輸入電阻和輸出電阻R₀。
（2）接上電容C，寫出R的表達(dá)式，并求出具體數(shù)值，再與（1）中的數(shù)值比較。
（3）接上電容C，若通過增大R_B3來提高R_i，那么R_i的極限值等于多少？

電路如圖所示。已知：R_B=300kΩ，R_E=5.1kΩ，負(fù)載電阻R_L=5.1kΩ，信號源內(nèi)阻R_S=10kΩ，－V_CC=－12V，C₁、C₂足夠大，T為硅管，其r_bb’=100Ω、β=50。試求：
（1）電路靜態(tài)工作點的數(shù)值；
（2）電路動態(tài)指標(biāo)A_u、R_i、A_us=U_o/U_s的數(shù)值；
（3）電路輸出電阻R_o的數(shù)值。

某放大電路如圖所示圖示。已知圖中。晶體管T的。試求：
（1）電路的靜態(tài)工作點I_CQ和I_CEQ；
（2）輸入電阻R_i及輸出電阻R_o；
（3）電壓放大倍數(shù)。

電路如圖所示。電路參數(shù)為：－V_CC=－12V、R_C=2kΩ、R_B=360kΩ；晶體管T為鍺管，其β=60、r_bb’=300Ω；電容器C₁=C₂=10μF、負(fù)載電阻R_L=2kΩ。試求：
（1）電路的靜態(tài)工作點I_BQ、I_CQ及U_CEQ值；
（2）電路的動態(tài)指標(biāo)A_u、R_i、R_o及U_opp值。