A.低位由0變1時(shí)
B.上一級(jí)由1變0時(shí)
C.下一級(jí)由0變1時(shí)
D.無規(guī)律
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.觸發(fā)器
B.寄存器
C.運(yùn)算器
D.放大器
A.開環(huán)增益很大，體積小
B.開環(huán)增益很大，輸入阻抗很小
C.開環(huán)增益很大，輸出阻抗高
D.開環(huán)增益很大，輸入阻抗高，輸出阻抗小
A.RC耦合電路
B.微分電路
C.積分電路
D.LC耦合電路
A.矩形脈沖
B.正弦波
C.鋸齒波脈沖
D.尖脈沖
A.觸發(fā)脈沖的極性，應(yīng)使飽和管退出飽和區(qū)或者使截止管退出截止區(qū)
B.觸發(fā)脈沖的幅度要足夠大
C.觸發(fā)脈沖的寬度要足夠?qū)?br />
D.含A、B、C全部?jī)?nèi)容
最新試題
三速電動(dòng)機(jī)是在雙速電動(dòng)機(jī)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，在三速電動(dòng)機(jī)的定子槽內(nèi)安放兩套繞組，分別是（）。
調(diào)功器作為可控硅電力開關(guān)設(shè)備，按調(diào)功器主回路通斷輸出方式可分為（）。
相臨線電壓的交點(diǎn)即是（）點(diǎn)，也即是控制角的起算點(diǎn)。
電網(wǎng)供電時(shí)，（）的效率最差。
用ICT-33C型數(shù)字集成電路測(cè)試儀判別555芯片好壞，下列說法正確的是（）。
高頻淬火與中頻淬火其主要區(qū)別在于頻率不同，高頻頻率范圍為（）。中頻頻率范圍為（）。
電磁轉(zhuǎn)差離合器調(diào)速系統(tǒng)當(dāng)負(fù)載轉(zhuǎn)矩小于10%額定轉(zhuǎn)矩時(shí)，控制特性顯著惡化，負(fù)載將無法運(yùn)轉(zhuǎn)而發(fā)生失控現(xiàn)象，因而機(jī)械特性存在（）。
關(guān)于臨時(shí)用電負(fù)荷計(jì)算，不正確的是（）。
直流電機(jī)及控制系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)包括（）。
集成運(yùn)算放大電路的各個(gè)組成部分中，故障率相對(duì)較高的是（）。