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問答題設(shè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET的參數(shù)為V_T＝1V，W＝100μm，L＝5μm，μ_n＝650cm²／V·s，C_ox＝76.7×10^-9F／cm²。當(dāng)V_GS＝2V_T，MOSFET工作在飽和區(qū)，試計(jì)算此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流I_D。

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1.問答題已知P溝道耗盡型MOSFET的參數(shù)為K_P＝0.2mA／V²，V_P＝0.5V，i_D＝－0.5mA（假定正向?yàn)榱鬟M(jìn)漏極）。試求此時(shí)的預(yù)夾斷點(diǎn)柵源電壓v_GS和漏源電壓v_DS等于多少？

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2.問答題設(shè)計(jì)一穩(wěn)壓管并聯(lián)式穩(wěn)壓電路，要求輸出電壓V_o＝4V，輸出電流I_o＝15mA，若輸入直流電壓V_I＝6V，且有10％的波動(dòng)。試選用穩(wěn)壓管型號(hào)和合適的限流電阻值，并檢驗(yàn)它們的功率定額。

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3.問答題 電路如圖所示，D為硅二極管，V_DD＝2V，R＝1kΩ，正弦信號(hào)v_s＝50sin（2π×50t）mV。
（1）靜態(tài)（即v_s＝0）時(shí)，求二極管中的靜態(tài)電流和v_o的靜態(tài)電壓；
（2）動(dòng)態(tài)時(shí)，求二極管中的交流電流振幅和v_o的交流電壓振幅；
（3）求輸出電壓v_o的總量。

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4.問答題 二極管穩(wěn)壓電路如圖所示。
（1）近似計(jì)算功率管的耗散功率P_Z，并說明在何種情況下，P_Z達(dá)到最大值或最小值；
（2）計(jì)算負(fù)載吸收的功率；
（3）限流電阻R所消耗的功率為多少？

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5.問答題 電路如圖所示，輸出在兩個(gè)二極管的基礎(chǔ)上再增加一個(gè)二極管，以提高輸出電壓。
（1）利用硅二極管恒壓模型求電路的I_D和V_o＝？
（2）在室溫300K下，利用二極管的小信號(hào)模型求V_o的變化范圍。
（3）在輸出電壓端外接一負(fù)載R_L＝1kΩ，問輸出電壓的變化范圍如何？

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