A.正組整流
B.正組逆變
C.反阻逆變
D.反阻整流
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A.晶閘管
B.門極可關(guān)斷晶閘管
C.功率場效應(yīng)晶體管
D.絕緣柵極雙極型晶體管
A.IGBT ,GTO
B.電力MOSFET ,GTR
C.IGBT ,電力MOSFET
D.GTO ,GTR
A.四層三端
B.三層三端
C.五層三端
D.三層二端
A.MOSFET的通態(tài)電阻具有負(fù)溫度系數(shù),不能并聯(lián)使用。
B.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流有利。
C.MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對器件并聯(lián)時的均流不利。
A.一次擊穿
B.臨界飽和
C.反向截止
D.二次擊穿
A.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦無電流,則晶閘管就立即關(guān)斷。
B.晶閘管一旦導(dǎo)通,門極就失去控制作用。
C.晶閘管導(dǎo)通后,門極一旦加反向電壓,則晶閘管就立即關(guān)斷。
A.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
B.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、放大區(qū)和非飽和區(qū)。
C.典型輸出特性分三個區(qū):截止區(qū)、線性區(qū)和非飽和區(qū)。
A.90o
B.150o
C.180o
D.360o
A.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變時的輸出電流過小。
B.限制逆變角的最大值,其目的是為了防止逆變失敗而無法工作。
C.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止輸出電壓太小而無法工作。
D.限制逆變角的最小值,其目的是為了防止逆變失敗。
最新試題
3位二進(jìn)制加法計數(shù)器的,計數(shù)長度為()
下列受時鐘控制的是()
本征半導(dǎo)體是(),導(dǎo)電能力弱。
將任意一個無效狀態(tài)代入狀態(tài)方程里,它總能進(jìn)入到這個循環(huán)狀態(tài),那么也就是說明,這個電路具有自起功能。
全加器的輸出信號是()
反相比例運(yùn)算電路,平衡電阻的求法:令ui=0,則uo=0,此時反相端對地總電阻值,即為所求平衡電阻值。
對理想運(yùn)放,當(dāng)運(yùn)放工作在線性區(qū)時,其輸出電壓與兩個輸入端的電壓差呈非線性關(guān)系。
集成運(yùn)放在信號運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()
二進(jìn)制計數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。
如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計時,74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()