刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

芯片粘接的工藝過程包括（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。