GaAs晶體是（）結(jié)構(gòu)

TEM觀測與SEM相同，對樣品厚度沒有要求。

所謂n溝道MOS管指的是它的基底是n型半導體。

MBE只能用于III-V族化合物的生長。

內(nèi)光電效應

光生伏特效應

硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。

通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。

光刻技術中的反刻工藝，通常應用于（）的情況。

MOS管是一種電流型半導體器件，BJT是一種電壓型半導體器件。