A.鍺
B.塑料
C.銅
D.云母
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A.輸入電阻小,輸出電阻大
B.輸入電阻小,輸出電阻小
C.輸入電阻大,輸出電阻小
D.輸入電阻大,輸出電阻大
A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.飽和區(qū)
D.擊穿區(qū)
A.基極、集電極、發(fā)射極
B.發(fā)射極、基極、集電極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.集電極、基極、發(fā)射極
A.60
B.75
C.80
D.100
A.發(fā)射極、基極、集電極
B.集電極、基極、發(fā)射極
C.集電極、發(fā)射極、基極
D.基極、集電極、發(fā)射極
最新試題
?在使用verilog描述一個(gè)二選一的數(shù)據(jù)選擇器時(shí),使用一條語(yǔ)句來(lái)進(jìn)行描述assign out1=(sel &b)∣(~sel &a),這條語(yǔ)句對(duì)應(yīng)的是()。
?MOSFET源極漏極間的長(zhǎng)度L越大,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)越明顯。???
?6位7段數(shù)碼管動(dòng)態(tài)顯示模塊如圖,要求人眼看到所有數(shù)碼管同時(shí)顯示各自對(duì)應(yīng)的數(shù)字,控制數(shù)碼管位選信號(hào)的動(dòng)態(tài)掃描時(shí)鐘信號(hào)頻率約為多少?()
現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit(ci,a,b,co,sum),模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co,sub}=a+b+ci,其中a,b為兩個(gè)加數(shù),ci為來(lái)自低位的進(jìn)位,sum為和,co為向高位的進(jìn)位,如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器,同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義:下面通過(guò)層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是()。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值,那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為()。
一塊通用面包板,公共條是三?四?三分段連通型,那么這塊板上最多有()個(gè)插孔在內(nèi)部是連通在一起的。
CD放大器具有較()的輸入電阻和較()的輸出電阻。?????
?CS放大器中引入源極電阻RS,其作用有()。?
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有()。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測(cè)頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)?()