雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

半導體具有的負的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。

n溝耗盡型MOS型場效應晶體管的閾值電壓一定大于相應的n溝增強型MOS管的閾值電壓。

N溝增強型MOS管襯底材料是N型摻雜半導體。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

晶體管正常使用過程中，處于正偏的PN結(jié)是（）結(jié)，處于反偏的PN結(jié)是（）結(jié)。

柵極材料和半導體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

（）是最早實現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導體材料。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。