單項(xiàng)選擇題由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

A.寄生電容
B.共生電容
C.儲(chǔ)存電容


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1.多項(xiàng)選擇題集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中

2.多項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物

4.多項(xiàng)選擇題材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

A.導(dǎo)體
B.絕緣體
C.半導(dǎo)體

5.多項(xiàng)選擇題20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

A.真空管電子學(xué)
B.無(wú)線電通信
C.機(jī)械制表機(jī)
D.固體物理

最新試題

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

題型：?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

題型：?jiǎn)柎痤}

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

題型：?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

題型：多項(xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

題型：?jiǎn)柎痤}

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

題型：?jiǎn)柎痤}