厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。