問答題簡述硅的基本性質(zhì)？它的優(yōu)點(diǎn)？
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芯片粘接的工藝過程包括（）。
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注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
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光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
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封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題