單項(xiàng)選擇題XPS能譜儀的樣品臺(tái)受到了玷污，清除玷污的方法是（）

A.用水清洗
B.用乙醇擦拭
C.用酸堿清洗
D.真空烘烤


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電子結(jié)合能說法正確的是（）

A.不同元素單質(zhì)同一軌道上的結(jié)合能相差很小
B.主量子數(shù)相同，角量子數(shù)不同，電子結(jié)合能相差也可能很大
C.電子越處于外層，其結(jié)合能越大
D.不同元素的外層電子的結(jié)合能可能相等

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于電子結(jié)合能說法錯(cuò)誤的是（）

A.不同元素單質(zhì)同一軌道上的結(jié)合能相差很大
B.主量子數(shù)相同，副量子數(shù)（角量子數(shù)）不同，電子結(jié)合能相差較小
C.電子越處于外層，其結(jié)合能越小
D.不同元素的外層電子的結(jié)合能不可能相等

3.單項(xiàng)選擇題與光電子XPS譜峰的半峰寬沒有關(guān)系的因素是（）

A.激發(fā)源的能量大小
B.光電子被激發(fā)前所處的軌道
C.能量分析器精度
D.激發(fā)源X射線的性質(zhì)

4.單項(xiàng)選擇題光電子平均自由程最小的光電子具有的能量是（）

A.10eV
B.100eV
C.550eV
D.700eV

5.單項(xiàng)選擇題K2Cr2O7中的Cr與Na2S2O3中的S在XPS譜中出現(xiàn)的峰的個(gè)數(shù)分別為（）

A.1個(gè)Cr峰、1個(gè)S峰
B.2個(gè)Cr峰、1個(gè)S峰
C.1個(gè)Cr峰、2個(gè)S峰
D.2個(gè)Cr峰、2個(gè)S峰