問(wèn)答題本征半導(dǎo)體材料Ge在297K下其禁帶寬度E=0.67（eV），現(xiàn)將其摻入雜質(zhì)Hg，鍺摻入汞后其成為電離能Ei=0.09（eV）的非本征半導(dǎo)體。試計(jì)算本征半導(dǎo)體Ge和非本征半導(dǎo)體鍺汞所制成的光電導(dǎo)探測(cè)器的截止波長(zhǎng)。
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