A.PWM控制就是對(duì)脈沖的幅值進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
B.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過(guò)對(duì)一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來(lái)等效地獲得所需形狀和幅值的波形
C.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即獲得一系列寬度相等的脈沖
D.PWM控制就是對(duì)脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制的技術(shù)，即通過(guò)對(duì)一系列脈沖的寬度進(jìn)行調(diào)制，來(lái)獲得所需形狀的波形
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.型號(hào)相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT不可以并聯(lián)運(yùn)行
B.型號(hào)相同的MOSFET和IGBT都不可以并聯(lián)運(yùn)行
C.型號(hào)相同的MOSFET可以并聯(lián)運(yùn)行，IGBT在通過(guò)電流較大時(shí)通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)，也可以并聯(lián)使用
D.型號(hào)相同的MOSFET不可以并聯(lián)運(yùn)行，而IGBT可以并聯(lián)運(yùn)行
A.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取動(dòng)態(tài)均壓措施即可
B.晶閘管串聯(lián)均壓措施就是選擇動(dòng)態(tài)參數(shù)和特性盡量一致的器件即可
C.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，需要采取靜態(tài)均壓措施和動(dòng)態(tài)均壓措施
D.晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，僅需要采取靜態(tài)均壓措施即可
A.di/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓
B.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小器件的開通損耗
C.關(guān)斷緩沖電路用于抑制器件的電流過(guò)沖和di/dt
D.du/dt抑制電路又稱為關(guān)斷緩沖電路，用于吸收器件的關(guān)斷過(guò)電壓和換相過(guò)電壓，抑制du/dt，減小關(guān)斷損耗
A.需采取措施對(duì)電力電子裝置進(jìn)行過(guò)電壓保護(hù)
B.電力電子裝置過(guò)電壓分為外因過(guò)電壓、操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓5類
C.雷擊過(guò)電壓是由電力電子裝置外部產(chǎn)生的，不需要采取措施進(jìn)行保護(hù)
D.電力電子裝置過(guò)電壓分為操作過(guò)電壓、雷擊過(guò)電壓、換相過(guò)電壓、關(guān)斷過(guò)電壓4類
A.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小可以確定控制相位
B.相控驅(qū)動(dòng)電路都不需要同步環(huán)節(jié)，外加控制電壓大小基本可以確定控制相位
C.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同，兩者相位關(guān)系則隨外加控制信號(hào)的變化而變化
D.相控驅(qū)動(dòng)電路要有同步環(huán)節(jié)，同步信號(hào)頻率與主電路電源的頻率相同且相位關(guān)系確定
A.觸發(fā)脈沖瞬時(shí)功率不得大于平均功率定額
B.觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度，觸發(fā)脈沖寬度無(wú)要求
C.脈沖寬度應(yīng)使晶閘管可靠導(dǎo)通，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的寬度與幅度
D.觸發(fā)脈沖寬度無(wú)要求，觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度
A.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
B.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離
C.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
D.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離
A.電流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件都具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
B.電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
C.流驅(qū)動(dòng)型和電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件輸入阻抗相同
D.電流驅(qū)動(dòng)型的電力電子器件具有輸入阻抗高的特點(diǎn)
A.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT的安全工作區(qū)比GTR窄
B.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR稍窄
C.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)與GTR一樣
D.相同電壓和電流定額時(shí)，IGBT安全工作區(qū)比GTR寬
A.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)幾乎不需輸入電流，開通關(guān)斷過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)
B.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)柵極需輸入大電流，開通關(guān)斷過(guò)程非常迅速
C.MOSFET不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，開通關(guān)斷過(guò)程非常迅速
D.MOSFET是場(chǎng)控器件，靜態(tài)時(shí)需輸入大電流，開通關(guān)斷過(guò)程時(shí)間長(zhǎng)
最新試題
3個(gè)JK觸發(fā)器，通過(guò)電路設(shè)計(jì)，可以接成（）進(jìn)制以內(nèi)的，任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。
uo與ui大小相等，相位相反，此時(shí)的電路稱為反相器，或倒相器。
所謂異步時(shí)序邏輯電路，是指電路中所有的觸發(fā)器，具有同一個(gè)時(shí)鐘脈沖CP的作用，因此各觸發(fā)器的狀態(tài)也不可能處于同一時(shí)刻改變。
6進(jìn)制異步清零，最后一個(gè)計(jì)數(shù)狀態(tài)應(yīng)該為（）
3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器，需要（）塊JK觸發(fā)器。
由兩個(gè)觸發(fā)器組成的時(shí)序電路，所以其工作狀態(tài)應(yīng)為（）種。
集成運(yùn)放的反相輸入端，當(dāng)輸入信號(hào)（ui1）由此輸入時(shí)，輸出信號(hào)（u0）與輸入ui1同相。
電壓比較器的功能是，將一個(gè)模擬量輸入電壓，與一個(gè)參考電壓VR進(jìn)行比較，并將比較的結(jié)果輸出，它廣泛應(yīng)用于（）等方面。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。
二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用，分頻的規(guī)律表現(xiàn)為：3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)（）分頻。