A.如果電力電子裝置中已經(jīng)安裝了快速熔斷器，則不需要其它過電流保護(hù)措施
B.對重要的、且易發(fā)生短路的晶閘管設(shè)備或全控型器件，需采用電子電路進(jìn)行過電流保護(hù)，響應(yīng)最快
C.快速熔斷器僅用于部分區(qū)段的過載保護(hù)
D.快速熔斷器僅用于短路時(shí)保護(hù)

A.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離
B.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用絕緣材料隔離
C.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用光隔離或磁隔離
D.電力電子器件驅(qū)動(dòng)電氣隔離環(huán)節(jié)一般采用磁隔離

A.將功率自關(guān)斷器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路制作在同一芯片上，稱為功率集成電路
B.將功率自關(guān)斷器件與邏輯、控制、保護(hù)、傳感、檢測、自診斷等信息電子電路封裝在一起，稱為功率集成電路
C.功率自關(guān)斷器件稱為功率集成電路
D.功率半控器件的驅(qū)動(dòng)集成電路稱為功率集成電路

A.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR慢
B.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比電力MOSFET快
C.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其開關(guān)速度比GTR快
D.絕緣柵雙極晶體管IGBT是一種復(fù)合器件，其驅(qū)動(dòng)電流很大

A.門極可關(guān)斷晶閘管GTO不是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
B.門極可關(guān)斷晶閘管GTO與晶閘管SCR的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)不一樣
C.門極可關(guān)斷晶閘管GTO是PPPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
D.門極可關(guān)斷晶閘管GTO是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

A.AC/DC和DC/AC兩大類
B.AC/DC、DC/AC、DC/DC、AC/AC四大類
C.AC/DC、DC/AC、DC/DC三大類
D.DC/AC、DC/DC、AC/AC三大類

A.間歇性能源包括風(fēng)能和太陽能
B.熱電廠、水電廠、生物燃料廠和光伏系統(tǒng)所產(chǎn)生的能源代表典型的持續(xù)性能源
C.熱電廠、水電廠、生物燃料廠所產(chǎn)生的能源代表典型的間歇性能源
D.間歇性能源包括風(fēng)能、太陽能和生物燃料廠所產(chǎn)生的能源

A.軟開關(guān)技術(shù)總的來說可以分為零電壓和非零電壓兩大類
B.軟開關(guān)技術(shù)總的來說可分為零電壓和零電流兩類
C.軟開關(guān)技術(shù)總的來說可以分為高電壓和大電流、或低電壓和小電流兩類
D.軟開關(guān)技術(shù)總的來說可以分為軟開關(guān)技術(shù)和硬開關(guān)技術(shù)兩類

A.應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗和開關(guān)噪聲，在損耗允許的情況下也可以使開關(guān)頻率大幅度提高
B.應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗，由于無法消除電壓、電流的重疊，不能提高開關(guān)頻率
C.應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗，但其開關(guān)損耗大于硬開關(guān)開關(guān)損耗的1/2
D.應(yīng)用軟開關(guān)技術(shù)可以降低開關(guān)損耗，但其開關(guān)損耗大于硬開關(guān)開關(guān)損耗的1/3

A.斬控式交流調(diào)壓電路的電源電流的基波和電源電壓是相同的
B.斬控式交流調(diào)壓電路的電源電流的基波分量和電源電壓基本上是同相位的，高次諧波可濾除，電路的功率因數(shù)接近1
C.斬控式交流調(diào)壓電路的電源電流的諧波分量很大
D.斬控式交流調(diào)壓電路的電源電流的基波分量是和電源電壓同相位的，高次諧波可濾除，電路的功率因數(shù)與電阻性負(fù)載的電阻大小有關(guān)