多項(xiàng)選擇題互連工藝中AL的制備可選用()。
A.電鍍
B.CVD
C.MBE
D.PVD
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題金屬化中可選用的金屬材料有()。
A.銀
B.金
C.鋁
D.銅
2.單項(xiàng)選擇題進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是()。
A.銅
B.鋁
C.鎢
D.金
3.單項(xiàng)選擇題化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)?()
A.還原劑
B.分散劑
C.腐蝕介質(zhì)
D.磨料
4.多項(xiàng)選擇題CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
A.臺(tái)板
B.拋光液
C.拋光墊
D.夾持設(shè)備
5.多項(xiàng)選擇題新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
A.固結(jié)磨料CMP技術(shù)
B.無磨粒CMP技術(shù)
C.無應(yīng)力拋光技術(shù)
D.電化學(xué)機(jī)械平坦化技術(shù)
最新試題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)?()
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后,退火的目的是()。
題型:多項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在()。
題型:單項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種?()
題型:單項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的設(shè)備核心是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物?()
題型:單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有()。
題型:多項(xiàng)選擇題