單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體按照其所處理的信號(hào)可以分成模擬、數(shù)字、（）及功能半導(dǎo)體。
A.電子數(shù)字混成
B.模擬電子混成
C.模擬數(shù)字混成
D.半導(dǎo)體混成
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1.單項(xiàng)選擇題化合物半導(dǎo)體包括（）、Ⅱ一Ⅵ族化合物（如硫化鎘、硫化鋅等）。
A.晶體族化合物
B.Ⅲ-V族化合物
C.碳化合物
D.鋁族化合物
2.單項(xiàng)選擇題模擬電子技術(shù)是以（）和場(chǎng)效應(yīng)管為關(guān)鍵電子器件。
A.示波器
B.電子管
C.半導(dǎo)體二極管、半導(dǎo)體三極管
D.換流器
3.單項(xiàng)選擇題模擬電子技術(shù)包括（）、運(yùn)算放大電路、反饋放大電路、信號(hào)運(yùn)算與處理電路、信號(hào)產(chǎn)生電路、電源穩(wěn)壓電路等研究方向。
A.頻率提升電路
B.功率放大電路
C.工頻轉(zhuǎn)換電路
D.電機(jī)運(yùn)行電路
4.單項(xiàng)選擇題模擬技術(shù)就是通過(guò)模擬電路的設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)某一（）的技術(shù)。
A.邏輯功能
B.電壓功能
C.編程功能
D.計(jì)算功能
5.單項(xiàng)選擇題20世紀(jì)80年代末90年代初出現(xiàn)了以功率MOSFET和IGBT為代表的集（）于一身的功率半導(dǎo)體復(fù)合器件。
A.低頻、高壓和大電流
B.高頻、低壓和大電流
C.高頻、高壓和大電流
D.高頻、高壓和小電流
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