A.統(tǒng)一編址方法
B.獨(dú)立編址方法
C.兩者都是
D.兩者都不是
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A.不同的地址線(xiàn)
B.不同的地址碼
C.不同的控制線(xiàn)
D.都不對(duì)
A.時(shí)鐘周期
B.機(jī)器周期
C.工作周期
D.指令周期
A.時(shí)鐘周期
B.機(jī)器周期
C.訪(fǎng)問(wèn)周期
D.指令周期
A.機(jī)器周期
B.指令周期
C.存儲(chǔ)周期
D.時(shí)鐘周期
A.程序計(jì)數(shù)器PC
B.程序狀態(tài)寄存器PSW
C.存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)寄存器MDR
D.指令寄存器IR
最新試題
在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)中，以下哪種存儲(chǔ)器技術(shù)能同時(shí)具備高速訪(fǎng)問(wèn)、低功耗和大容量？（）
已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。
刷新控制電路的主要任務(wù)是解決刷新和（）之間的矛盾。
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫(xiě)出[X]反，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
將十進(jìn)制數(shù)（-0.288）10轉(zhuǎn)化成二進(jìn)制數(shù)，要求小數(shù)點(diǎn)后保留7位數(shù)值位，正確結(jié)果為（）。
RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒(méi)有外加電源供電，使得RAM成為了（）。
在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的多級(jí)層次結(jié)構(gòu)中，用機(jī)器指令編寫(xiě)的程序可以由（）進(jìn)行解釋。
（）又稱(chēng)字選法，所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器是字結(jié)構(gòu)的。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪(fǎng)問(wèn)的寄存器。（4）CPU通過(guò)（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過(guò)（）把信息寫(xiě)入有關(guān)端口。