單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），利用空乏區(qū)可做成（）
A.壓控電容
B.壓控電阻
C.壓控電感
D.以上皆非
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1.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體PN接合面出現(xiàn)空乏區(qū)（depletion layer），在何種情況下更明顯（）
A.斷路時(shí)
B.短路時(shí)
C.順向偏壓時(shí)
D.逆向偏壓時(shí)
2.單項(xiàng)選擇題一般硅質(zhì)二極管導(dǎo)通時(shí)，兩端的電位差為？（）
A.1.2V
B.0.9V
C.0.6V
D.0.2V
3.單項(xiàng)選擇題稽納二極管順向?qū)妷簽?？（?/a>
A.0.6V
B.3V
C.6V
D.10V
4.單項(xiàng)選擇題N型半導(dǎo)體內(nèi)的電洞為（）
A.少數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
B.少數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
C.多數(shù)載子，由熱所產(chǎn)生
D.多數(shù)載子，由摻雜所產(chǎn)生
5.單項(xiàng)選擇題一般PN二極管兩端的順向偏壓隨溫度的變化量約為（）
A.-2.5mV/℃
B.-25mV/℃
C.+2.5mV/℃
D.+25mV/℃
E..+0.25mV/℃。
最新試題
下列哪項(xiàng)描述最符合傳感器的定義？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
JK觸發(fā)器與RS觸發(fā)器相比，最大的特點(diǎn)是什么？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
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題型：單項(xiàng)選擇題
甲類低頻功率放大器的特點(diǎn)是什么？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
或門電路（OR Gate）的邏輯功能可以描述為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
555時(shí)基電路在哪種模式下可以作為方波發(fā)生器？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)描述是RS觸發(fā)器的一個(gè)應(yīng)用場景？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于與門電路（AND Gate）的描述中，哪一項(xiàng)是正確的？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
JK觸發(fā)器與SR觸發(fā)器的主要區(qū)別是什么？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
555時(shí)基電路在雙穩(wěn)態(tài)模式下，其輸出電平如何變化？（）
題型：單項(xiàng)選擇題