A.試驗(yàn)頻率
B.試件溫度
C.試件硬度
D.試件磁導(dǎo)率
E.以上都是
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A.熱處理
B.電導(dǎo)率
C.填充系數(shù)
D.磁導(dǎo)率
A.相位
B.電阻
C.感抗
D.阻抗
A.fg=μ/d2
B.fg=μ/2
C.fg=5060/σμd2
D.fg=R/L
A.保持不變
B.減小
C.增大
D.以上都不是
A.貝塞爾函數(shù)
B.指數(shù)函數(shù)
C.代數(shù)函數(shù)
D.以上都是
最新試題
試驗(yàn)線圈激勵(lì)電流應(yīng)保持恒定,這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息()。
對(duì)某非磁性材料進(jìn)行渦流檢測(cè)時(shí),已知μr=1,f=2kHz,ρ=2O×1O-6Ω·m,試計(jì)算滲透深度值為多少?
交流電流在試驗(yàn)物體中產(chǎn)生渦流。矢量Hs代表試件中的二次交變磁場(chǎng),只有具有哪種作用渦流檢驗(yàn)才有意義()。
要建筑一個(gè)Ir192透照室,源活度100C,墻外容許照射量率為0.25毫倫/小時(shí),求混凝土墻的厚度至少各多少?(設(shè)工作人員最小工作距離為5米,水泥半減層為3.6cm,Kr=4.72)
寫(xiě)出VC-S滲透探傷的工藝流程。
用××2005型×光機(jī)180KV管電壓透照Φ51*3.5的管子環(huán)焊縫,已知焊縫寬度b=10mm,焦點(diǎn)尺寸3*3,試求①滿足Ug=3Ui,橢圓開(kāi)口間距g=5mm時(shí)的透照距離L1和透照偏移距離S(設(shè)Ui=0.0013V0.8,膠片離管子底面距離3mm)②若透照距離L1=800mm,則此時(shí)Ug為Ui的幾倍?
新置的Ir192γ射線源,其活度為40Ci,現(xiàn)今時(shí)隔300天,已知,Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度?該源新置時(shí),對(duì)某工件進(jìn)行射線照相的曝光時(shí)間為4min,若所有條件不變,現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘?
渦流試驗(yàn)時(shí),試樣中的電磁場(chǎng)是由()表示的。
分析底片上出現(xiàn)白色(黑度低于周?chē)缚p或母材的黑度)缺陷影像的原因?
渦流的相似定律是什么?在渦流檢測(cè)中有何作用?