單項選擇題磁盤高速緩存設(shè)在()中。

A.內(nèi)存
B.磁盤控制器
C.Cache
D.磁盤


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1.單項選擇題進程的狀態(tài)和優(yōu)先級信息存放在()。

A.JCB
B.PCB
C.快表
D.頁表

4.單項選擇題大多數(shù)的鍵盤按鍵都由按鍵插座和()兩部分組成。

A.鍵帽
B.支撐點
C.字符
D.塑料

5.單項選擇題對于Windows7操作系統(tǒng)安裝的硬件要求,下列選項中描述錯誤的是()

A.推薦64位雙核以上處理器
B.推薦2GB的內(nèi)存
C.至少需要2GB以上的硬盤空間
D.以上都不對

最新試題

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.半加器B.全加器C.原碼D.補碼E.數(shù)據(jù)校驗F.檢查溢出G.正確H.錯誤I.異或J.與或(1)加法器是由()和相應(yīng)的邏輯電路組成的。(2)定點數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補碼直接參與運算,其中()加減法運算的實現(xiàn)規(guī)則最簡單,電路實現(xiàn)也最方便。(3)執(zhí)行補碼加減法運算一定要(),否則無法確定是否正確。(4)使用雙符號位執(zhí)行加減法運算后,若兩個符號位不同,即出現(xiàn)01和10,表示運算結(jié)果()。(5)在數(shù)值運算中數(shù)值位向符號位進位,或符號位向更高位進位產(chǎn)生的溢出,可以用這兩個進位輸出的()操作來判斷。

題型:問答題

RAM記憶單元從6管變到4管,在保持狀態(tài)時沒有外加電源供電,使得RAM成為了()。

題型:單項選擇題

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元,有利于提高()。

題型:單項選擇題

已知X=10111001,Y=-00101011,求[X +Y]補,正確結(jié)果為()。

題型:單項選擇題

從給定的選項中選擇你認(rèn)為正確的一項。A.階碼B.尾數(shù)C.階碼和尾數(shù)D.浮點數(shù)E.移碼數(shù)F.規(guī)格化操作G.隱藏位技術(shù)(1)對于同一個數(shù)值,它的()與補碼數(shù)的數(shù)值位相同,符號位相反。(2)浮點數(shù)用()表示數(shù)據(jù)。(3)小數(shù)點的位置可以在數(shù)據(jù)位移動的數(shù)據(jù)稱為()。(4)浮點數(shù)的溢出,是由其()是否溢出表現(xiàn)出來的。(5)在實用中把浮點數(shù)的尾數(shù)左移一位,將最高位的1移走,從而提高數(shù)值的精度,這項處理稱之為()。

題型:問答題

動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極()來存儲信息的。

題型:單項選擇題

在計算機存儲層次結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲器技術(shù)能同時具備高速訪問、低功耗和大容量?()

題型:單項選擇題

柵極電平只能維持一段時間,若要維持所保存的信息,需要對C1、C2電容充電,此過程被稱為“刷新(refresh)”。刷新過程也就是讀出過程,但只為完成充電而并不需要讀出信息,定期執(zhí)行一次()。

題型:單項選擇題

若I/O類指令采用獨立編址,對系統(tǒng)帶來的影響主要是()。

題型:單項選擇題

存儲器堆棧需要設(shè)置一個專門的硬件寄存器,稱為(),而寄存器堆棧則沒有。

題型:單項選擇題