MOSFET開關(guān)的基本工作原理是通過（）極電壓來控制（）極和（）極之間的導(dǎo)電溝道的通斷。

一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級(jí)

MBE只能用于III-V族化合物的生長(zhǎng)。

TEM觀測(cè)與SEM相同，對(duì)樣品厚度沒有要求。

當(dāng)一個(gè)NPN型BJT工作在電流放大模式下時(shí)，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的

光電導(dǎo)效應(yīng)

半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。

AFM通常用來觀測(cè)樣品表面形貌。

XPS只能檢測(cè)元素種類，無法標(biāo)定元素含量。

敏化劑