A.摻雜的工藝;
B.雜質(zhì)的濃度;
C.溫度;
D.晶體的缺陷。
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A.電子;
B.空穴;
C.三價元素;
D.五價元素。
A.給本征半導(dǎo)體加上一定的能量,則價電子就能成為自由電子;
B.給本征半導(dǎo)體不加能量,則價電子也能成為自由電子;
C.給本征半導(dǎo)體加上一定的能量,則價電子也不能成為自由電子;
D.以上所有說法都不正確。
A.數(shù)量很多;
B.數(shù)量適中;
C.數(shù)量很少;
D.滿足A項和B項。
A.該半導(dǎo)體為微導(dǎo)電;
B.該半導(dǎo)體為絕緣體;
C.該半導(dǎo)體為導(dǎo)體;
D.A項和C項。
A.不含雜質(zhì)且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體;
B.含有三價元素硼的半導(dǎo)體;
C.含有五價元素磷的半導(dǎo)體;
D.不含雜質(zhì)且電阻率極低的半導(dǎo)體。
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