A.電流方向都要變化一次
B.電流正向變化一次
C.電流負向變化一次
D.電流方向不變化
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A.只在本位單元中間位置處
B.只在本位單元起始位置處
C.在本位單元起始位置處負向
D.在本位單元起始位置和中間位置處
A.能長期保存
B.不能長期保存
C.讀出后，原存信息即被破壞
D.讀出若干次后要重寫
A.數(shù)據(jù)塊數(shù)
B.字節(jié)數(shù)
C.扇區(qū)數(shù)
D.記錄項數(shù)
A.A15~A6
B.A9~A0
C.A15~A5
D.A10~A0
A.A2A3
B.A0A1
C.A12～A15
D.A0～A5
最新試題
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
計算機的I/O接口是（）之間的交接界面。
存儲器堆棧需要設置一個專門的硬件寄存器，稱為（），而寄存器堆棧則沒有。
從給定的選項中選擇你認為正確的一項。A.微指令地址B.控制存儲器C.微指令寄存器D.微程序控制器E.硬連線控制器F.簡單G.復雜（1）微程序控制器是通過（）的銜接區(qū)分指令執(zhí)行步驟的。（2）微程序控制器的控制信號被讀出后，還需經過一個（）送到被控制部件。（3）相對硬連線控制器，微程序控制器的設計與實現(xiàn)（）。（4）為了獲得快一些的運行速度，控制器部件應選擇（）。（5）（）是微程序控制器的核心部件。
（）又稱字選法，所對應的存儲器是字結構的。
使用硬件堆棧時，其中（）移動。
計算機采用總線結構的好處是（）。
主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）
動態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
在計算機存儲層次結構中，以下哪種存儲器技術能同時具備高速訪問、低功耗和大容量？（）