多項(xiàng)選擇題當(dāng)流過晶閘管的電流的有效值超過它的額定通態(tài)平均電流的有效值時(shí),會(huì)出現(xiàn)()的情況。

A.短路
B.限流
C.逆變
D.過載


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1.多項(xiàng)選擇題以下是固態(tài)開關(guān)優(yōu)點(diǎn)的是()。

A.體積小
B.工作頻率低
C.可靠性高
D.使用安全

2.多項(xiàng)選擇題單結(jié)晶體管的伏安特性是指()之間的關(guān)系。

A.發(fā)射極電壓
B.集電極電壓
C.發(fā)射極電流
D.集電極電流

3.多項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)按照導(dǎo)電溝道分為()。

A.P 溝道
B.N 溝道
C.耗盡型
D.增強(qiáng)型

4.多項(xiàng)選擇題常見的反電動(dòng)勢(shì)負(fù)載有()。

A.整流二極管
B.蓄電池
C.電力晶體管
D.直流電動(dòng)機(jī)的電樞

5.多項(xiàng)選擇題電感性負(fù)載可用()串聯(lián)表示。

A.電感元件
B.電阻元件
C.電容元件
D.晶閘管

6.多項(xiàng)選擇題選用晶閘管元件的額定電壓應(yīng)為實(shí)際工作時(shí)晶閘管所承受的峰值電壓的2~3倍原因是()。

A.散熱不良
B.環(huán)境溫度降低
C.環(huán)境溫度升高
D.散熱良好

7.多項(xiàng)選擇題以下不是混合型器件的是()。

A.GTR
B.GTO
C.IGBT
D.MOSFET

8.多項(xiàng)選擇題電力場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)按柵極電壓幅值可分為()。

A.耗盡型
B.增強(qiáng)型
C.P 溝道
D.N 溝道

9.多項(xiàng)選擇題晶閘管過電流保護(hù)方法有()。

A.交流進(jìn)線電抗器
B.過電流繼電器保護(hù)
C.直流快速開關(guān)保護(hù)
D.快速熔斷器保護(hù)

10.多項(xiàng)選擇題雙向晶閘管型號(hào)KS50-10-21表示的含義是()。

A.額定電流50A
B.額定電壓10級(jí)
C.斷態(tài)電壓臨界上升率2級(jí)
D.換向電流臨界下降率1級(jí)

最新試題

集成運(yùn)放的反相輸入端,當(dāng)輸入信號(hào)(ui1)由此輸入時(shí),輸出信號(hào)(u0)與輸入ui1同相。

題型:判斷題

二極管外接正向電壓,P區(qū)應(yīng)接電源()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

碼制即編碼體制,在數(shù)字電路中主要是指用二進(jìn)制代碼來表示非二進(jìn)制數(shù)字以及字符的編碼方法和規(guī)則。

題型:判斷題

全加器的輸出信號(hào)是()

題型:多項(xiàng)選擇題

放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置不妥當(dāng),會(huì)產(chǎn)生飽和失真或截止失真。

題型:判斷題

3進(jìn)制的加法計(jì)數(shù)器,需要()塊JK觸發(fā)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:3位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

4位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放應(yīng)用范圍現(xiàn)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了數(shù)學(xué)運(yùn)算,涉及到了()測(cè)量和自動(dòng)控制等方面

題型:多項(xiàng)選擇題

二進(jìn)制計(jì)數(shù)器具有分頻的作用,分頻的規(guī)律表現(xiàn)為:5位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器實(shí)現(xiàn)()分頻。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題