主存儲器通常由以下哪些部分組成？（）

從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。

柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。

從給定的選項(xiàng)中選擇你認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.半加器B.全加器C.原碼D.補(bǔ)碼E.數(shù)據(jù)校驗(yàn)F.檢查溢出G.正確H.錯(cuò)誤I.異或J.與或（1）加法器是由（）和相應(yīng)的邏輯電路組成的。（2）定點(diǎn)數(shù)的加減法可以由帶符號位的原碼、反碼和補(bǔ)碼直接參與運(yùn)算，其中（）加減法運(yùn)算的實(shí)現(xiàn)規(guī)則最簡單，電路實(shí)現(xiàn)也最方便。（3）執(zhí)行補(bǔ)碼加減法運(yùn)算一定要（），否則無法確定是否正確。（4）使用雙符號位執(zhí)行加減法運(yùn)算后，若兩個(gè)符號位不同，即出現(xiàn)01和10，表示運(yùn)算結(jié)果（）。（5）在數(shù)值運(yùn)算中數(shù)值位向符號位進(jìn)位，或符號位向更高位進(jìn)位產(chǎn)生的溢出，可以用這兩個(gè)進(jìn)位輸出的（）操作來判斷。

將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。

若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。

已知X=10111001，Y=-00101011，求[X +Y]補(bǔ)，正確結(jié)果為（）。

已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。

（）又稱為萬國碼，是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。

RAM記憶單元從6管變到4管，在保持狀態(tài)時(shí)沒有外加電源供電，使得RAM成為了（）。