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填空題 對于下圖所示電路，已知現(xiàn)要求靜態(tài)電流I_CQ=3mA，則R_b2=（）

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1.填空題 對于下圖所示電路，設(shè)V_CC=12V，R_b=510kΩ，R_c=8kΩ，V_BE=0.7V，V_CE（sat）=0.3V，當(dāng)β=50，靜態(tài)電流I_BQ=（），I_CQ=（），管壓降V_CEQ=（）；若換上一個當(dāng)β=80，靜態(tài)電流I_BQ=（），I_CQ=（），管壓降V_CEQ=（），三級管工作在（）狀態(tài)。

參考答案：22μA；1.1mA；3.2V；22μA；1.46mA；0.3V；飽和

2.填空題 對于下圖所示電路，設(shè)V_CC=12V，三級管β=50，V_BE=0.7V，若要求靜態(tài)電流I_CQ=2mA，V_CEQ=4V，則電路中的R_b=（），R_C=（）

參考答案：282.5kΩ；4kΩ

3.填空題JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制，來改變（）的寬窄，從而控制漏極電流的大小；而MOSFET則是利用柵源電壓的大小，來改變半導(dǎo)體表面（）的多少，從而控制漏極電流的大小。

參考答案：導(dǎo)電溝道；感生電荷

4.填空題半功率點指的是在輸入信號幅值不變的的條件下，增益下降（）dB的頻率點，即與中頻段相比輸出電壓下降（）倍。

參考答案：3；0.707

5.填空題將幾級放大電路串聯(lián)起來后，總電壓增益雖然提高了，但通頻帶變（）了。

參考答案：窄