半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

單項(xiàng)選擇題
當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
問(wèn)答題
已知鍺原子的濃度為4.4×1022/cm3。1）溫度為300K時(shí)，本征鍺的電阻率為47Ω·cm，μn=3900cm2/V·s，μp=1900cm2/V·s。試求本征載流子濃度。2）若摻入銻雜質(zhì)，使每個(gè)鍺原子中有一個(gè)雜質(zhì)原子，計(jì)算300K時(shí)電子濃度和空穴濃度。3）若假設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求該摻雜鍺樣品的電阻率。4）若流過(guò)該樣品的電流密度為100mA/cm2，求所加的電場(chǎng)強(qiáng)度。
答案：
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則。
答案：①設(shè)計(jì)規(guī)則決定的最小擴(kuò)散條寬Wmin
②工藝水平和電阻精度要求所決定的最小電阻條寬Wr，min
③流...
問(wèn)答題
試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。
答案：Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系可以分為三個(gè)階段：
（1）溫度很低時(shí)，電阻率隨溫度升高而降低。因?yàn)檫@時(shí)本征激發(fā)極弱...
問(wèn)答題
簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。
答案：⑴有源負(fù)載的交流阻抗r_AC很大，所以使每級(jí)放大器的電壓增益A_V提高。因而可以...
單項(xiàng)選擇題
輸入電阻最小的電路是（）
A.共射極
B.共集電極
C.共基極
單項(xiàng)選擇題
用萬(wàn)用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類(lèi)型（指NPN型還是PNP型）與三個(gè)電極時(shí)以測(cè)出（）最為方便。
A.中極間電阻
B.各極對(duì)地電位
C.各極電流
問(wèn)答題
說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較?。?/h4>
答案：被雜質(zhì)束縛的電子或空穴的能量狀態(tài)稱(chēng)為雜質(zhì)能級(jí)，電子脫離雜質(zhì)的原子的束縛成為導(dǎo)電電子的過(guò)程成為雜質(zhì)電離，使這個(gè)多余的價(jià)電子...
判斷題
N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能之上。
答案：正確
問(wèn)答題
試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡(jiǎn)并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛(ài)因斯坦關(guān)系：
答案：

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半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

簡(jiǎn)述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則。

試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。

簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

輸入電阻最小的電路是（）

用萬(wàn)用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類(lèi)型（指NPN型還是PNP型）與三個(gè)電極時(shí)以測(cè)出（）最為方便。

說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較?。?/h4>

N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能之上。

試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡(jiǎn)并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛(ài)因斯坦關(guān)系：

半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)

當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

簡(jiǎn)述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則。

試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。

簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

輸入電阻最小的電路是（）

用萬(wàn)用表判別放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類(lèi)型（指NPN型還是PNP型）與三個(gè)電極時(shí)以測(cè)出（）最為方便。

說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較?。?/h4>

N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在本征費(fèi)米能之上。

試用一維非均勻摻雜（摻雜濃度隨x的增加而下降）的非簡(jiǎn)并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛(ài)因斯坦關(guān)系：

當(dāng)一種n型半導(dǎo)體的少子壽命由直接輻射復(fù)合決定時(shí)，其小注入下的少子壽命正比于（）。

簡(jiǎn)述擴(kuò)散電阻最小條寬的確定原則。

試定性分析Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。

簡(jiǎn)述采用有源負(fù)載的放大器的優(yōu)點(diǎn)。

說(shuō)明雜質(zhì)能級(jí)以及電離能的物理意義。為什么受主、施主能級(jí)分別位于價(jià)帶之上或?qū)е?，而且電離能的數(shù)值較?。?/h4>