即間隙式雜質(zhì)，如Na，K，Pb，Ca，Ba，Al等。
使膠膜完全溶解所需最小的曝光量。
是指利用外延生長(zhǎng)的基本原理以及硅在絕緣體上很難核化成膜的特性，在硅表面指定區(qū)域生長(zhǎng)外延層而其他區(qū)域不生長(zhǎng)的技術(shù)。
加熱蒸發(fā)源，使原子或分子從蒸發(fā)源表面逸出，形成蒸汽流并入射到硅片（襯底）表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜。
就是快速退火，即降低退火溫度，或者縮短退火時(shí)間完成退火。
