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集成電路工藝原理填空題每日一練(2020.04.29)
來源:考試資料網(wǎng)
1.填空題
在SiO
2
內(nèi)和Si-SiO
2
界面存在有()、()、()、()等電荷。
參考答案:
可動離子電荷;氧化層固定電荷;界面陷阱電荷;氧化層陷阱
2.填空題
制造電子器件的基本半導(dǎo)體材料是圓形單晶薄片,稱為硅片或()。在硅片制造廠,由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品,又被稱為()或()。
參考答案:
硅襯底;微芯片;芯片
3.填空題
用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分()、()、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和()。
參考答案:
工藝腔;硅片傳輸系統(tǒng);溫控系統(tǒng)
4.填空題
擴(kuò)散是物質(zhì)的一個基本性質(zhì),分為三種形態(tài)()擴(kuò)散、()擴(kuò)散和()擴(kuò)散。
參考答案:
氣相;液相;固相
5.填空題
晶圓制備中的整型處理包括()、()和()。
參考答案:
去掉兩端;徑向研磨;硅片定位邊和定位槽