多項選擇題常壓的硅外延方法有（）。
A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
2.單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質量
3.單項選擇題摻雜后退火時間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
4.單項選擇題當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
5.多項選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
最新試題
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
摻雜后退火時間一般在（）。
題型：單項選擇題
光刻工藝對準誤差包括（）。
題型：多項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質原子？（）
題型：多項選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
題型：單項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題