單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
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1.單項選擇題摻雜后退火時間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
2.單項選擇題當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
3.多項選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
4.多項選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
5.多項選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前，將窗口處的硅腐蝕掉深度，再進(jìn)行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
最新試題
如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項選擇題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
題型：單項選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：單項選擇題