缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

水浸聚焦探頭是由外殼、阻尼塊、晶片、聲透鏡等組成。

缺陷相對反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

對于圓柱體而言，外圓徑向檢測實(shí)心圓柱體時(shí)，入射點(diǎn)處的回波聲壓實(shí)際上由于圓柱面耦合不及平面，因而其回波高于平底面，會使定量誤差增加。

對于比正?？v波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。