在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱(chēng)為（）。