單項選擇題在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
A.晶胞
B.晶長
C.晶塊
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項選擇題從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
A.碳加熱
B.生產(chǎn)三氯硅烷
C.西門子反應(yīng)
2.多項選擇題BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
3.多項選擇題MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS(n溝道)
B.pMOS(p溝道)
C.mMOS(m溝道)
4.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
5.多項選擇題集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴(kuò)散到襯底的特定區(qū)域中
最新試題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力,可在版圖設(shè)計上采取哪些措施?
題型:問答題
從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過()等步驟。
題型:多項選擇題
MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?
題型:問答題
什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
題型:問答題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題
目前集成電路版圖設(shè)計的主流工具有哪些?
題型:問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項選擇題