根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。