從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。