多項選擇題BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
A.CMOS
B.雙極技術(shù)
C.nMOS
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1.多項選擇題MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
A.nMOS(n溝道)
B.pMOS(p溝道)
C.mMOS(m溝道)
2.單項選擇題由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。
A.寄生電容
B.共生電容
C.儲存電容
3.多項選擇題集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
A.金屬膜
B.摻雜的多晶硅
C.通過雜質(zhì)擴散到襯底的特定區(qū)域中
4.多項選擇題半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
A.金屬
B.合金
C.多晶硅
D.金屬硅化物
5.多項選擇題硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
A.SiO2
B.SiON
C.Si3N4
最新試題
MOS場效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀70年代得到了廣泛的接受,從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。
題型:多項選擇題
BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。
題型:多項選擇題
晶體管的名字取自于()和()兩詞。
題型:多項選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么?
題型:問答題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
從設(shè)計的觀點出發(fā),版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分?
題型:問答題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:問答題
把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊,轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程,稱作()。生長后的單晶硅被稱為()。
題型:單項選擇題
試述兩種傳輸線電感,比較其優(yōu)缺點。
題型:問答題
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長。
題型:問答題