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填空題單級共射放大電路與由這樣兩個單級構(gòu)成的多級放大電路相比較，多級放大電路的電壓放大倍數(shù)值（），上限頻率f_H（），下限頻率f_L（），通頻帶B_W（）。

1.填空題在基本組態(tài)的放大電路中，負(fù)載電阻R_L越大，則電壓放大倍數(shù)的值（），信號源的內(nèi)阻R₀越大，則源電壓放大倍數(shù)的值（）。

2.填空題晶體三極管的參數(shù)受溫度影響，當(dāng)溫度升高時，晶體管的I_CBO將（），β將（），|U_BE|將（）。

3.填空題PN結(jié)外加正向電壓時其空間電荷區(qū)寬度將（），PN結(jié)中（）電流占優(yōu)勢。

4.填空題半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是由（）形成的，少數(shù)載流子是由（）產(chǎn)生的。

5.問答題 如下圖所示電路中的運放將工作于深度負(fù)反饋條件下，已知：R_F1=10k，R_F2=1k，R=10K，I_S=1mA，試求：
（1）u_o1的表達(dá)式；
（2）當(dāng)u_o1從0~1v變化時，求R_X的變化范圍。