MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？