A.一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地;
B.處于下鐵芯下芯柱的1/4一次繞組及下鐵芯支架對二次繞組及地;
C.處于下鐵芯下芯柱的的1/4一次繞組端部對二次繞組端部之間的及下鐵芯支架對殼之間;
D.上下鐵芯支架。
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A.一次繞組對二次繞組及地;
B.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組對二次繞組之間;
C.鐵芯支架;
D.處于鐵芯下芯柱的1/2一次繞組端部對二次繞組端部之間。
A.tgδ?。?br />
B.絕緣電阻高;
C.泄漏電流小;
D.在試驗(yàn)電壓下無局部放電。
A.測量主電容C1的tgδ和C;
B.測量分壓電容C2及中間變壓器的tgδ、C和MΩ;
C.電壓比試驗(yàn);
D.檢查引出線的極性。
A.空載損耗和空載電流試驗(yàn);
B.絕緣電阻和介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ測量;
C.局部放電測量;
D.引出線的極性檢查試驗(yàn)。
A.≥12h;
B.≥24h;
C.≥48h;
D.≥72h。
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