單項(xiàng)選擇題

從下圖表示的DRAM的寫(xiě)操作時(shí)序可以看出，分割行地址和列地址的信號(hào)是（）

A./RAS
B./CAS
C./CE
D./WE


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1.單項(xiàng)選擇題對(duì)一個(gè)靜態(tài)存儲(chǔ)單元，說(shuō)法不正確的是（）

A.行線(xiàn)和列線(xiàn)同時(shí)選中時(shí)，存儲(chǔ)單元有1位數(shù)據(jù)輸出
B.存儲(chǔ)單元既有正相數(shù)據(jù)輸出，也有反相數(shù)據(jù)輸出
C.存儲(chǔ)單元只有正相數(shù)據(jù)輸出
D.向存儲(chǔ)單元寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)，既要提供正相數(shù)據(jù)，也要提供反相數(shù)據(jù)

2.單項(xiàng)選擇題組成一位靜態(tài)存儲(chǔ)單元，需要MOS管的數(shù)量是（）

A.4個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)

3.單項(xiàng)選擇題關(guān)于靜態(tài)RAM說(shuō)法正確的是（）

A.雙極型SRAM由于工作速度快通常用作Cache，MOS型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
B.MOSSRAM由于工作速度快通常用作Cache，雙極型SRAM由于功耗低、成本低常用于嵌入式系統(tǒng)的主存
C.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用雙極型SRAM
D.Cache和嵌入式系統(tǒng)的主存都使用MOS型SRAM

4.單項(xiàng)選擇題存儲(chǔ)芯片在讀操作時(shí)，其讀寫(xiě)控制器的引腳狀態(tài)應(yīng)該是（）

A./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為低電平
B./CE引腳為低電平，/OE引腳為高電平，/WE引腳為低電平
C./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平
D./CE引腳為高電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平

5.單項(xiàng)選擇題存儲(chǔ)芯片在寫(xiě)操作時(shí)，其讀寫(xiě)控制器的引腳狀態(tài)應(yīng)該是（）

A./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為低電平
B./CE引腳為低電平，/OE引腳為高電平，/WE引腳為低電平
C./CE引腳為低電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平
D./CE引腳為高電平，/OE引腳為低電平，/WE引腳為高電平