高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

儀器時(shí)基線比例一般在試塊上調(diào)節(jié)，當(dāng)工件與試塊的聲速不同時(shí)，儀器的時(shí)基線比例發(fā)生變化，影響缺陷定位精度。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

衍射時(shí)差法探傷，當(dāng)有缺陷存在時(shí)，在直通波和底面反射波之間，接收探頭會(huì)接收到缺陷處產(chǎn)生的衍射波。

動(dòng)態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

經(jīng)變形橫波轉(zhuǎn)換后探頭接收到的回波滯后于單純縱波傳播至底返面的回波，滯后時(shí)間與變形橫波橫穿工件厚度的次數(shù)成反比。

液浸法探傷是使探頭發(fā)射的超聲波經(jīng)過一段液體后再進(jìn)入試件的檢測的方法。

對于比正常縱波底面回波滯后的變形波稱為遲到回波。

水浸式探頭主要特點(diǎn)是探頭與工件直接接觸，且探頭部分或全部門浸入耦合液中。

在檢測晶粒粗大和大型工件時(shí)，應(yīng)測定材料的衰減系數(shù)，計(jì)算時(shí)應(yīng)考慮介質(zhì)衰減的影響。