A、1
B、2
C、3
D、4
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A、Eth-Trunk支持FE和GE端口的捆綁
B、相同類型被捆綁的端口，速率可以設(shè)置為不同
C、Eth-Trunk的物理端口可以為半雙工模式
D、Eth-Trunk可以通過(guò)劃分子接口支持VLAN
A、undoshutslot<需要拔出的單板所在槽位>
B、shutslot<需要拔出的單板所在槽位>
C、刪除和該單板相關(guān)的所有配置
D、不需做任何操作"
A、1
B、2
C、3
D、4
A、0
B、1
C、2
D、3
A、config
B、vrpcfg
C、系統(tǒng)名稱
D、license
最新試題
DWDM系統(tǒng)OTU單板使用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器主要有PIN管和APD管兩種，對(duì)APD管來(lái)說(shuō)，其接收光功率過(guò)載點(diǎn)為（）dBm。
（）不是導(dǎo)致四波混頻的主要原因。
模擬信號(hào)數(shù)字化的過(guò)程是（）。
以下哪種信號(hào)異常能用邏輯分析儀測(cè)試？（）
某電路，對(duì)100KHz以下低頻信號(hào)干擾敏感，為減少干擾，應(yīng)采用（）濾波器。
光交叉處理（）的調(diào)度，通常與所承載的業(yè)務(wù)類型（）。（）處理電信號(hào)的調(diào)度，與所承載的業(yè)務(wù)類型（）
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。（）
十進(jìn)制數(shù)據(jù)0x5a與0xa5的同或運(yùn)算結(jié)果為：0x00。（）
對(duì)于D觸發(fā)器來(lái)說(shuō)，為了保證可靠的采樣，數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號(hào)的上升沿到來(lái)之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間，這個(gè)時(shí)間稱為（）。
在Buck電路中，不能起到減小紋波作用的措施是（）。